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silicondoping相关论文
硅掺杂对InAs/GaSb II类超晶格磁输运的影响
针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范......
期刊
InAs/GaSb超晶格
硅掺杂
弱局域效应
相位相干长度
InAs/GaSb superlattices
silicon doping
weak local
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